SI7100DN-T1-E3 - MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SI7100DN-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI7100DN-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3810pF @ 4V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI7100DN-T1-E3
Datenblätter :
SI7100DN-T1-E3.pdf
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