STL15N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV

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MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
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Technische Daten für STL15N60M2-EP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STL15N60M2-EP
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
Serie : MDmesh™ M2-EP
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 418 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 55W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STL15N60M2-EP

Datenblätter : STL15N60M2-EP.pdf

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