PMDXB600UNEZ - MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

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MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
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Technische Daten für PMDXB600UNEZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMDXB600UNEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V
Leistung max : 265mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : DFN1010B-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : PMDX , PMDXB6

Dokumente für PMDXB600UNEZ

Datenblätter : PMDXB600UNEZ.pdf

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