SUD35N10-26P-T4GE3 - MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Hersteller Teilenummer

SUD35N10-26P-T4GE3

Interne Teilenummer

AX-SUD35N10-26P-T4GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

420255 Pieces

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Technische Daten für SUD35N10-26P-T4GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUD35N10-26P-T4GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SUD35N10-26P-T4GE3

Datenblätter : SUD35N10-26P-T4GE3.pdf

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