NVD4856NT4G - MOSFET N-CH 25V 89A DPAK

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MOSFET N-CH 25V 89A DPAK
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Technische Daten für NVD4856NT4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVD4856NT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 89A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2241pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVD4856NT4G

Datenblätter : NVD4856NT4G.pdf

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