CSD16570Q5BT - MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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Technische Daten für CSD16570Q5BT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD16570Q5BT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSONP (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : CSD1 , CSD165

Dokumente für CSD16570Q5BT

Datenblätter : CSD16570Q5BT.pdf

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