DMN2016UTS-13 - MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
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Technische Daten für DMN2016UTS-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2016UTS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1495pF @ 10V
Leistung max : 880mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-TSSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN2016UTS-13
Datenblätter : DMN2016UTS-13.pdf
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