IXTA200N085T - MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

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MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
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Technische Daten für IXTA200N085T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTA200N085T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 85V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTA200N085T

Datenblätter : IXTA200N085T.pdf

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