SIB412DK-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller Teilenummer

SIB412DK-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIB412DK-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6664 Pieces

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Technische Daten für SIB412DK-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIB412DK-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.16nC @ 5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-75-6L Single

Paket / fall : PowerPAK® SC-75-6L

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SIB412DK-T1-GE3.pdf

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