SIA923EDJ-T4-GE3 - MOSFET P-CH 20V SC-70-6
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIA923EDJ-T4-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIA923EDJ-T4-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V SC-70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Preliminary
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIA923EDJ-T4-GE3
Datenblätter : SIA923EDJ-T4-GE3.pdf
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