BS107PSTZ - MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

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MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
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Technische Daten für BS107PSTZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BS107PSTZ
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 85pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : E-Line (TO-92 compatible)
Paket / fall : E-Line-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BS107PSTZ

Datenblätter : BS107PSTZ.pdf

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