IRF6662TR1PBF - MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
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MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
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Technische Daten für IRF6662TR1PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF6662TR1PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1360pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET™ MZ
Paket / fall : DirectFET™ Isometric MZ
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF6662TR1PBF
Datenblätter : IRF6662TR1PBF.pdf
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