1T6G R0G - DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1T6G R0G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1T6G R0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : T-18, Axial
Supplier Device Package : TS-1
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 1T , 1T6G

Dokumente für 1T6G R0G

Datenblätter : 1T6G R0G.pdf

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