DS1230Y-120IND - IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
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Kurze Beschreibung
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für DS1230Y-120IND
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DS1230Y-120IND
Hersteller : Maxim Integrated
Beschreibung : IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : NVSRAM
Technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße : 256Kb (32K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 120ns
Zugriffszeit : 120ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Supplier Device Package : 28-EDIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DS1230Y-120IND
Datenblätter : DS1230Y-120IND.pdf
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