LND150N3-G-P003 - MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für LND150N3-G-P003
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
LND150N3-G-P003
Hersteller :
Microchip Technology
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
740mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für LND150N3-G-P003
Datenblätter :
LND150N3-G-P003.pdf
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