IRL60B216 - MOSFET N-CH 60V 195A

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRL60B216

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRL60B216
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 195A
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 258nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15570pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : IRL60B216.pdf

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