BSP300L6327HUSA1 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Hersteller Teilenummer

BSP300L6327HUSA1

Interne Teilenummer

AX-BSP300L6327HUSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BSP300L6327HUSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSP300L6327HUSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-SOT223-4

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSP300L6327HUSA1

Datenblätter : BSP300L6327HUSA1.pdf

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