R8002ANX - MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-R8002ANX
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
188545 Pieces
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Technische Daten für R8002ANX
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
R8002ANX
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
210pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220FM
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für R8002ANX
Datenblätter :
R8002ANX.pdf
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