APT60M80L2VRG - MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
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Technische Daten für APT60M80L2VRG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT60M80L2VRG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Serie : POWER MOS V®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 590nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 833W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : 264 MAX™ [L2]
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für APT60M80L2VRG

Datenblätter : APT60M80L2VRG.pdf

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