DMT6018LDR-13 - MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
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MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
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Technische Daten für DMT6018LDR-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT6018LDR-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 869pF @ 30V
Leistung max : 1.9W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : V-DFN3030-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMT6018LDR-13
Datenblätter : DMT6018LDR-13.pdf
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