MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E - IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße : 32Gb (512M x 64)
Taktfrequenz : 1866MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.1V
Betriebstemperatur : -30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MT53D512M , MT53D512M64D4
Dokumente für MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
Datenblätter : MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E.pdf
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