HUF76609D3 - MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HUF76609D3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
70175 Pieces
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Technische Daten für HUF76609D3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
HUF76609D3
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Serie :
UltraFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
425pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
49W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für HUF76609D3
Datenblätter :
HUF76609D3.pdf
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