VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Technische Daten für VS-GB100TH120N
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-GB100TH120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A
Leistung max : 833W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package : Double INT-A-PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für VS-GB100TH120N
Datenblätter : VS-GB100TH120N.pdf
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