RUE003N02TL - MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

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MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
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Technische Daten für RUE003N02TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RUE003N02TL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 300mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : EMT3
Paket / fall : SC-75, SOT-416
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RUE , RUE00

Dokumente für RUE003N02TL

Datenblätter : RUE003N02TL.pdf

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