APT12057JLL - MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

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MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
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Technische Daten für APT12057JLL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT12057JLL
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 290nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 520W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : APT12057JLL.pdf

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