FCP190N65S3 - MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Hersteller Teilenummer

FCP190N65S3

Interne Teilenummer

AX-FCP190N65S3

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

165230 Pieces

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Technische Daten für FCP190N65S3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCP190N65S3

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Serie : SuperFET® III

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.7mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 144W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FCP190N65S3.pdf

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