GP1M018A020FG - MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für GP1M018A020FG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GP1M018A020FG
Hersteller : Global Power Technologies Group
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30.4W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220F
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für GP1M018A020FG
Datenblätter : GP1M018A020FG.pdf
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