IPP60R180P7XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPP60R180P7XKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP60R180P7XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Serie : CoolMOS™ P7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1081pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 72W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPP60R180P7XKSA1
Datenblätter : IPP60R180P7XKSA1.pdf
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