SIDR626DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 60V

Hersteller Teilenummer

SIDR626DP-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIDR626DP-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 60V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

343005 Pieces

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Technische Daten für SIDR626DP-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIDR626DP-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 60V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 42.8A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5130pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8DC

Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SIDR626DP-T1-GE3

Datenblätter : SIDR626DP-T1-GE3.pdf

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