FDB3632_SB82115 - INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller Teilenummer

FDB3632_SB82115

Interne Teilenummer

AX-FDB3632_SB82115

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

INTEGRATED CIRCUIT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

22022 Pieces

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Technische Daten für FDB3632_SB82115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB3632_SB82115

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 310W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDB36 , FDB3632

Dokumente für FDB3632_SB82115

Datenblätter : FDB3632_SB82115.pdf

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