CMG06(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Hersteller Teilenummer

CMG06(TE12L,Q,M)

Interne Teilenummer

AX-CMG06(TE12L,Q,M)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4359965 Pieces

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Technische Daten für CMG06(TE12L,Q,M)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CMG06(TE12L,Q,M)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOD-128

Supplier Device Package : M-FLAT (2.4x3.8)

Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : CMG06 , CMG06(TE

Dokumente für CMG06(TE12L,Q,M)

Datenblätter : CMG06(TE12L,Q,M).pdf

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