APTM100DA18CT1G - MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für APTM100DA18CT1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM100DA18CT1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 570nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 657W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP1
Paket / fall : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM100DA18CT1G
Datenblätter : APTM100DA18CT1G.pdf
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