PMGD8000LN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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Technische Daten für PMGD8000LN,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMGD8000LN,115
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 125mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 5V
Leistung max : 200mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : 6-TSSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMGD8000LN,115
Datenblätter : PMGD8000LN,115.pdf
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