R6030ENZ1C9 - MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller Teilenummer

R6030ENZ1C9

Interne Teilenummer

AX-R6030ENZ1C9

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

83055 Pieces

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Technische Daten für R6030ENZ1C9

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : R6030ENZ1C9

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 120W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für R6030ENZ1C9

Datenblätter : R6030ENZ1C9.pdf

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