IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFT18N100Q3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
42360 Pieces
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Technische Daten für IXFT18N100Q3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXFT18N100Q3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4890pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
830W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXFT18N100Q3
Datenblätter :
IXFT18N100Q3.pdf
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