IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFT18N100Q3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFT18N100Q3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFT18N100Q3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4890pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 830W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFT18N100Q3
Datenblätter : IXFT18N100Q3.pdf
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