IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Hersteller Teilenummer

IXFT18N100Q3

Interne Teilenummer

AX-IXFT18N100Q3

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

42360 Pieces

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Technische Daten für IXFT18N100Q3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFT18N100Q3

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4890pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 830W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-268

Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFT18N100Q3

Datenblätter : IXFT18N100Q3.pdf

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