STD3N62K3 - MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK

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MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
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Technische Daten für STD3N62K3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STD3N62K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 620V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 385pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STD3N62K3

Datenblätter : STD3N62K3.pdf

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