FDMD8680 - MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDMD8680
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
362850 Pieces
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Technische Daten für FDMD8680
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMD8680
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5330pF @ 40V
Leistung max : 39W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-Power 5x6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDMD8680
Datenblätter : FDMD8680.pdf
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