APTM50H10FT3G - MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
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Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM50H10FT3G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM50H10FT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4367pF @ 25V
Leistung max : 312W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM50H10FT3G
Datenblätter : APTM50H10FT3G.pdf
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