APTM50H10FT3G - MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
11312 Pieces
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Technische Daten für APTM50H10FT3G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTM50H10FT3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
96nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4367pF @ 25V
Leistung max :
312W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTM50H10FT3G
Datenblätter :
APTM50H10FT3G.pdf
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