DMN10H170SVTQ-7 - MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMN10H170SVTQ-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN10H170SVTQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1167pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSOT-26
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN10H170SVTQ-7
Datenblätter :
DMN10H170SVTQ-7.pdf
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