K4A4G165WE-BITD - 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für K4A4G165WE-BITD
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
K4A4G165WE-BITD
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR4
Dichte :
4 Gb
Org. :
256M x 16
Geschwindigkeit :
2666 Mbps
Stromspannung :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Paket :
96FBGA
Produckstatus :
Mass Production
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für K4A4G165WE-BITD
Datenblätter :
K4A4G165WE-BITD.pdf
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