FDFME3N311ZT - MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDFME3N311ZT
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDFME3N311ZT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDFME3N311ZT
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 15V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / fall : 6-UFDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDFME3N311ZT
Datenblätter : FDFME3N311ZT.pdf
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