SQS966ENW-T1_GE3 - MOSFET N-CHAN 60V
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 60V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SQS966ENW-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQS966ENW-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 60V
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 572pF @ 25V
Leistung max : 27.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8W
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8W
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQS966ENW-T1_GE3
Datenblätter : SQS966ENW-T1_GE3.pdf
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