JANTXV1N6109US - TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
35098 Pieces
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Technische Daten für JANTXV1N6109US
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
JANTXV1N6109US
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/516
Teilestatus :
Active
Art :
Zener
Unidirektionale Kanäle :
-
Bidirektionale Kanäle :
1
Spannung - Reverse Standoff (Typ) :
9.9V
Spannung - Durchschlag (min.) :
11.73V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp :
19.11V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) :
26.13A
Leistung - Spitzenimpuls :
500W
Stromleitungsschutz :
No
Anwendungen :
General Purpose
Kapazität bei Frequenz :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
B, SQ-MELF
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für JANTXV1N6109US
Datenblätter :
JANTXV1N6109US.pdf
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