MTZJT-779.1B - DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD

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DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
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Technische Daten für MTZJT-779.1B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MTZJT-779.1B
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 9.1V
Toleranz : ±3%
Leistung max : 500mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 20 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 6V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AG, DO-34, Axial
Supplier Device Package : MSD
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für MTZJT-779.1B

Datenblätter : MTZJT-779.1B.pdf

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