IRF640NLPBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Hersteller Teilenummer

IRF640NLPBF

Interne Teilenummer

AX-IRF640NLPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

228090 Pieces

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Technische Daten für IRF640NLPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF640NLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF640NLPBF

Datenblätter : IRF640NLPBF.pdf

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