FDR8702H - MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

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MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
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Technische Daten für FDR8702H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDR8702H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 10V
Leistung max : 800mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Supplier Device Package : SuperSOT™-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDR8702H

Datenblätter : FDR8702H.pdf

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