IRFSL59N10D - MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRFSL59N10D
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
63530 Pieces
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Technische Daten für IRFSL59N10D
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRFSL59N10D
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2450pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRFSL59N10D
Datenblätter :
IRFSL59N10D.pdf
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