DMN2022UNS-7 - MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

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MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
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Technische Daten für DMN2022UNS-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2022UNS-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 10V
Leistung max : 1.2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMN2 , DMN202

Dokumente für DMN2022UNS-7

Datenblätter : DMN2022UNS-7.pdf

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