RGTH00TS65DGC11 - IGBT 650V 85A 277W TO-247N
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RGTH00TS65DGC11
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RGTH00TS65DGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max : 277W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 39ns/143ns
Testbedingung : 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 54ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247N
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RGTH00TS65DGC11
Datenblätter : RGTH00TS65DGC11.pdf
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