RGTH00TS65DGC11 - IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
91865 Pieces
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Technische Daten für RGTH00TS65DGC11
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RGTH00TS65DGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Leistung max :
277W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
39ns/143ns
Testbedingung :
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
54ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247N
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RGTH00TS65DGC11
Datenblätter :
RGTH00TS65DGC11.pdf
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