STW58N60DM2AG - MOSFET N-CH 600V 50A

Hersteller Teilenummer

STW58N60DM2AG

Interne Teilenummer

AX-STW58N60DM2AG

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 50A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

47712 Pieces

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Technische Daten für STW58N60DM2AG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STW58N60DM2AG

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 50A

Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STW58N60DM2AG

Datenblätter : STW58N60DM2AG.pdf

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